芯片制造電子電鍍表界面科學基礎 研討活動在京舉辦

發(fā)布時間：2025年09月29日 來源：中國化學會

9月21日，由中國科協(xié)立項支持，中國化學會主辦的芯片制造電子電鍍表界面科學基礎研討活動在中國科技會堂舉辦，近30位來自高校、科研院所和企業(yè)的一線專家圍繞相關(guān)議題開展交流研討。本次活動由中國科學院院士、廈門大學教授孫世剛和中國科學院長春應用化學研究所研究員邢巍擔任執(zhí)行主席，中國科學院過程工程研究所研究員王昊擔任學術(shù)秘書。

圖1 會議現(xiàn)場

主旨報告環(huán)節(jié)，廈門大學教授于大全以“超高深寬比硅通孔電鍍技術(shù)”為題，介紹硅通孔（TSV）技術(shù)在芯片三維集成中的重要作用，分析高深寬比硅通孔現(xiàn)狀，總結(jié)了高密度TSV電鍍面臨的種子層、電鍍液、裝備與工藝等方面的關(guān)鍵技術(shù)與挑戰(zhàn)，指出TSV電鍍是電子電鍍眾多應用中工藝難度大、技術(shù)壁壘高、國外壟斷最嚴重的環(huán)節(jié)，國產(chǎn)替代需求強烈。清華大學教授王琛作“集成電路先進節(jié)點互聯(lián)材料和工藝集成”報告，探討了后摩爾時代芯片內(nèi)和芯片間多代候選互連材料及其工藝的潛力及挑戰(zhàn)，從材料創(chuàng)新、工藝優(yōu)化、架構(gòu)突破、設計范式等多方面綜合研判未來互連技術(shù)的發(fā)展路徑，并對超導互連、光互連等顛覆性互連技術(shù)進行前瞻性分析。盛美半導體設備（上海）股份有限公司工藝副總裁賈照偉以“中國集成電路電鍍裝備的發(fā)展狀態(tài)”為題，介紹國際和國內(nèi)電鍍設備市場分布情況，分享公司為打破芯片電子電鍍設備的國外封鎖進行科技研發(fā)攻關(guān)情況，展望電鍍先進工藝技術(shù)發(fā)展的趨勢及產(chǎn)業(yè)布局。

圖2 主旨報告

自由發(fā)言環(huán)節(jié)，與會專家圍繞芯片制造電子電鍍表界面科學基礎發(fā)展方向、技術(shù)路徑與挑戰(zhàn)、產(chǎn)學研實踐等話題，結(jié)合研究專長發(fā)表各自見解。其中，中國科學院院士、武漢大學教授劉勝強調(diào)要重視軟件的國產(chǎn)化，通過正向設計，實現(xiàn)芯片電子電鍍的可制造性、可靠性、可維護性。孫世剛院士回顧了近年來推動電子電鍍行業(yè)發(fā)展的工作歷程，指出應加強芯片制造電子電鍍基礎研究，重點聚焦解決當前芯片制造電子電鍍技術(shù)瓶頸。廈門大學教授馬盛林認為應借助AI技術(shù)突破縱向各鏈條的數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)，進行協(xié)同研發(fā)，形成電子電鍍研究新范式。

大家一致認為，芯片制造是以信息技術(shù)為引領(lǐng)的第四次工業(yè)革命的硬件基礎，電子電鍍是芯片制造與集成各環(huán)節(jié)基礎性、通用性、不可替代性的技術(shù)，其發(fā)展水平直接決定高端電子制造業(yè)的技術(shù)水平。然而，目前我國芯片制造電子電鍍的整體技術(shù)仍存在短板，面臨著材料、技術(shù)、設備等多重挑戰(zhàn)。建議加強芯片制造電子電鍍表界面科學基礎研究，為技術(shù)和設備開發(fā)提供科學依據(jù)。要注重人才培養(yǎng)和團隊建設，加強產(chǎn)學研結(jié)合，推進芯片制造產(chǎn)業(yè)的研究與實踐應用。