分會

第四十八分會：化學動力學

摘要

熱管理對于器件長效表現(xiàn)至關重要，新興二維過渡金屬氧化物MXene已被賦予多功能領域的前景，包括儲能，電磁屏蔽，光電探測和光熱治療。在應用過程中電子在電極上移動使MXene薄片內(nèi)部熱量產(chǎn)生和局部溫度升高，對各類型的器件會帶來局部的熱損傷。理解氧化對于界面熱傳導影響可以從MXene器件設計上避免或減少可能發(fā)生的熱損傷。 通過飛秒超快光譜與分子動力學模擬發(fā)現(xiàn)，在Ti3C2Tx部分氧化后產(chǎn)生Ti3C2Tx-TiO2界面，該界面結構顯著加速了界面間的熱傳遞速率，但降低了面內(nèi)的熱擴散速率。分子動力學模擬闡明了Ti3C2Tx界面氧化幾率對熱傳導速率之間的關系，從分子層次上解釋化學鍵結構對熱傳導率的影響1。該研究對于MXene界面熱管理和熱調控的器件設計提供了研發(fā)思路。

關鍵詞

熱傳遞速率；Ti3C2Tx-TiO2界面；飛秒超快光譜；分子動力學模擬

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