中國(guó)化學(xué)會(huì)第32屆學(xué)術(shù)年會(huì)
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表面氧化調(diào)制MXene(Ti3C2Tx)界面與橫向熱遷移
張琦 袁開(kāi)軍*

分會(huì)

第四十八分會(huì):化學(xué)動(dòng)力學(xué)

摘要

熱管理對(duì)于器件長(zhǎng)效表現(xiàn)至關(guān)重要,新興二維過(guò)渡金屬氧化物MXene已被賦予多功能領(lǐng)域的前景,包括儲(chǔ)能,電磁屏蔽,光電探測(cè)和光熱治療。在應(yīng)用過(guò)程中電子在電極上移動(dòng)使MXene薄片內(nèi)部熱量產(chǎn)生和局部溫度升高,對(duì)各類(lèi)型的器件會(huì)帶來(lái)局部的熱損傷。理解氧化對(duì)于界面熱傳導(dǎo)影響可以從MXene器件設(shè)計(jì)上避免或減少可能發(fā)生的熱損傷。 通過(guò)飛秒超快光譜與分子動(dòng)力學(xué)模擬發(fā)現(xiàn),在Ti3C2Tx部分氧化后產(chǎn)生Ti3C2Tx-TiO2界面,該界面結(jié)構(gòu)顯著加速了界面間的熱傳遞速率,但降低了面內(nèi)的熱擴(kuò)散速率。分子動(dòng)力學(xué)模擬闡明了Ti3C2Tx界面氧化幾率對(duì)熱傳導(dǎo)速率之間的關(guān)系,從分子層次上解釋化學(xué)鍵結(jié)構(gòu)對(duì)熱傳導(dǎo)率的影響1。該研究對(duì)于MXene界面熱管理和熱調(diào)控的器件設(shè)計(jì)提供了研發(fā)思路。

關(guān)鍵詞

熱傳遞速率;Ti3C2Tx-TiO2界面;飛秒超快光譜;分子動(dòng)力學(xué)模擬

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